納米武林基本功這個STI不是那個STI Liner defects, profiles ...

浅槽隔离，即shallow trench isolation，简称STI。通常用于0.25um以下工艺，通过利用氮化硅掩膜经过淀积、图形化、刻蚀硅后形成槽，并在槽中填充淀积氧化物，用于与硅隔离。

淺溝槽隔離( Shallow Trench Isolation , STI)是一種常用於半導體製程中的隔離技術，可以防止相鄰半導體元件之間的漏電流(leakage current)產生，還具有增加元件積集度(package density)、減少通道寬度侵蝕(channel width encroachment)等優點。

如上图，STI（Shallow Trench Isolation）浅沟槽隔离，先在硅片上刻蚀浅沟槽，然后填充氧化硅，形成电气隔离层。主要作用是将CMOS的nMOSFET和pMOSFET ...

其中包括墊氧化層成長及氮化矽. 硬質罩(Hard Mask)沉積、介電層及矽. 基材隔離溝渠蝕刻、矽表面氧化、. CVD沉積填隙毯覆二氧化矽介電層及. 其高溫緻密化(Densified Anneal) ...

STI = Shallow Trench Isolation 顧名思義就是在CMOS上挖一條溝渠來做隔離，那是隔離什麼呢? 因為在CMOS上會有P+與N+結合起來的depletion region(空.

淺溝渠隔離技術(Shallow Trench Isolation, STI)為先進IC奈米晶片製程中的關鍵技術。以化學機械研磨技術進行溝渠隔離氧化矽之回蝕面臨相當嚴苛的製程 ...

【先前技術】. 在目前半導體製程中,一般採用區域氧化法(localized oxidation isolation, LOCOS)或是淺溝隔離(shallow trench isolation, STI)方法來. 進行元件之間的隔離, ...

... 隔離(Shallow Trench Isolation 或. STI)製程取代傳統LOCOS 方式，以滿足高積成密度的要求。 1.2 研究動機與目的. 圖1-1 為CMOS製程結構，製程線寬愈做愈小其元件的隔離區也.

Shallow trench isolation (STI), also known as box isolation technique, is an integrated circuit feature which prevents electric current leakage